这一成果近期发表在《ACSNano》上，服装文章第一作者是华中科技大学学生刘理权，胡清漪和张温凯。

但是，消失由于ZMO的低导电性，使得ZMO/CdTe界面产生较大的电子传输势垒，进而导致了S型J-V曲线的出现，严重限制了器件性能的进一步提高。此外，离阿里巴ZMO/CdTe为typeII型异质结，可有效降低异质结界面处的缺陷复合损失，提高开路电压。

鄢炎发教授曾获得一系列国家和国际奖项，巴最包括1995年日本学术振兴会的博士后研究奖，巴最2001年获得美国能源部的青年科技者奖，2007年获得美国可再生能源实验室杰出研究的主任奖,2011年获得被誉为科技界的奥斯卡的研究与发展100奖，同年推选为美国物理学会会士，2018年被评为托莱多大学杰出研究学者，2021年被评为托莱多大学杰出教授。这是因为在Cd3V2或V2Te3中，杭州V-Te和Cd-V键具有较高的共价特性，在扩散前需要较高的能量打断共价键。对在惰性气氛和有氧气氛下进行CdCl2处理的ZMO/CdTe太阳能电池，服装作者使用SCAPS模拟，服装正反扫以及UV光照等测试手段对该猜想进行了验证，并通过变温J-V、导纳谱、对ZMO/CdTe异质结和CdTe/Au的接触势垒，以及体缺陷特性进行了测试。

图四、消失载流子寿命、密度以及缺陷特性表征（a）Cu和As掺杂的CdSeTe器件的TRPL曲线。离阿里巴该工作为实现25%的高效和高稳定性CdTe太阳能电池开辟了一条更有效的途径。

【成果简介】近日，巴最美国阿拉巴马大学闫风教授，巴最美国托莱多大学鄢炎发教授（共同通讯作者）、李登兵博士（第一作者）等人报道了一种新的高效非原位掺杂技术，即使用一系列V族高离子性材料（即V族氯化物（VCl3），如PCl3、AsCl3、SbCl3和BiCl3）作为掺杂前驱体，在低温条件下实现了有效的非原位V族元素掺杂。

杭州（d）使用X射线光电子能谱（XPS）分析As在CdSeTe中的化学状态。服装(4)生物医学传感与治疗。

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